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Introduction パワエレ回路は部品からおさえるべし
第1部 パワー・トランジスタ＆ダイオードの回路技術
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パワエレのコモンセンス
第1章 パワーMOSFETとスイッチング動作入門
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高耐圧と低オン抵抗を両立できるSiCやGaNが期待される背景
第2章 パワーMOSFETの半導体構造とシリコンの限界
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小型/高速/低損失の実力とこれからの課題
第3章 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN
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出力容量と動作周波数で用途によって使い分ける
Appendix 1 パワー半導体デバイスの使い分け方
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パワーMOSFETと構造は似ているが得意/不得意が異なる
第4章 大電流スイッチング素子「IGBT」のしくみ
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パワーMOSFETとIGBT，SiC MOSFETを比べる
第5章 実測比較！ SiC MOSFETと従来パワー半導体の性能
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ダイオードのメカニズムと損失が発生する理由を把握する
第6章 数千V，数百Aに耐えるパワー・ダイオードのしくみ
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よく使う数十W以下のスイッチング電源作りを例に
第7章 スイッチング電源に使えるダイオードの選び方
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マイコン直結で200V級出力！ 高密度モジュールDIPIPM回路の研究
第8章 インバータ機器向けパワー・モジュールに見るパワエレ・パターン設計の勘どころ
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数百Vより上のパワー半導体の世界もおさえる
第9章 まだ現役！ サイリスタ＆トライアック
第2部 パワー・トランス＆コイル…しくみと特性
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電源回路の性能を左右するキーパーツ
第10章 スイッチング電源用トランスの基礎
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トランス/コイルの最適設計に重要な指標をシミュレーションで確認する
第11章 高効率化のための基本パラメータ① 磁束密度
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試作の前に高精度に設計検証
第12章 高効率化のための基本パラメータ② インダクタンス
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計測が難しい導体内の電流をシミュレーションで検証
第13章 高効率化のための基本パラメータ③ 電流密度と抵抗損
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磁気シミュレーションの結果を回路シミュレーションに取り込む
Appendix 2 トランスのモデルと回路シミュレーションの連係
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電線を使わずに電気エネルギーを伝える不思議な部品
第14章 トランスを磁気の目で見てみよう
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磁気のふるまいを電気に置き換えて理解しよう
第15章 磁気回路によるインダクタンスの計算
第3部 パワエレ向けコンデンサ…しくみと特性
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誘電体の材料と構造が特性を決めている
第16章 コンデンサの種類
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電源の平滑回路用によく使われる
第17章 小型大容量を得られるアルミ電解コンデンサ
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自動車の動力系に欠かせない
第18章 高耐圧で周波数特性に優れるフィルム・コンデンサ
第4部 パワエレに必須の保護部品…しくみと特性
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役割/使われどころから種類/構造まで
第19章 ヒューズの基礎知識
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エレメントの構造と溶断特性の相違
第20章 ヒューズの動作原理
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感電や発煙，発火などを防ぐために決められている
Appendix 3 各国のヒューズ安全規格
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定格電圧/電流からディレーティングの設定まで
第21章 ヒューズ選定の手順
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電源投入時の突入電流の測り方から寿命計算まで
第22章 具体例で示すヒューズの正しい選び方
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材料や環境によって沿面/空間距離が決められている
第23章 ヒューズを実装する際の考慮点
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温度ヒューズ/復帰型電流保護素子/サージ吸収素子/突入電流防止回路
第24章 電流ヒューズ以外の保護素子