[参]→フラッシュ・メモリ

　電気的にプログラム内容を消去および再書き込みすることができるPROM．メモリ・セルを構成するMOSトランジスタにフローティング・ゲート（FG）を作り，FGにチャネルからホット・エレクトロンを注入してMOSトランジスタのしきい値電圧VTHを変化（例えば2Vから4.5Vへ）させて書き込む．
　消去法はメーカ各社で違いがある．フローティング・ゲートから多結晶Siの消去ゲートへ電子を抜く方法，トンネル酸化膜を通してソースへ，あるいはドレイン側へ電子を抜く方法などがある．
　紫外線消去型EPROMは常にEPROMをボードから取り出せる状態にしておくために，ICをソケットに取り付け，装置のカバーをいつでも外せる状態にしておかなければならない．