Last Update 2020/04/07
従来のMOSFETと同じように使える!高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生!
グリーン・エレクトロニクス No.18 新版
30MHz/10kWスイッチング！超高速GaNトランジスタの実力と応用
B5判 128ページ
定価2,640円(税込)
JAN9784789848497
2016年8月1日発行
好評発売中！
■内容見本(851KB) GaN(ガリウム・ナイトライド)，SiC(シリコン・カーバイド)など，新しい半導体材料によるパワー・デバイスが実用化されてきており，実際の製品への応用が広がりつつあります．
特集では，これら新パワー・デバイスの特長を生かした活用方法を探求していきます．高電圧動作のパワー・エレクトロニクス回路を高速にスイッチングすることが可能となるため，数kWクラスのパワー回路を小型かつ軽量に実現できるようになります．
特集では，これら新パワー・デバイスの特長を生かした活用方法を探求していきます．高電圧動作のパワー・エレクトロニクス回路を高速にスイッチングすることが可能となるため，数kWクラスのパワー回路を小型かつ軽量に実現できるようになります．
目次
従来のMOSFETと同じように使える！高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生！
特集 30MHz/10kWスイッチング！超高速GaNトランジスタの実力と応用
基本構造から応用製品まで
第1章 GaNパワー・デバイスの現状
■デバイス構造
■デバイス性能
■GaNを搭載した回路
■GANパワー・デバイスが搭載された製品
GaNパワー・デバイスを中心に…
第2章 最新ワイドギャップ・パワー・デバイスの基本特性比較
■GaN HEMTの基本構造
■デバイスの損失
■基本特性の比較
■各デバイスの比較
■デモボード評価
耐熱性が高く小型軽量で高効率が望まれる
第3章 GaN素子の電気自動車インバータへの応用の可能性
■電気自動車技術の進歩
■電気自動車にとっての新素子の価値
■GaN素子を用いたモータ駆動の初期的試験
超低ロス・超高速！最新パワー・デバイスを試す
第4章 GaNトランジスタTPH3006PSで作る効率99%の300Wインバータ
■GaNトランジスタの特性をチェック
■DC-ACインバータの回路を検討する
■どのPWM 方式を採用するか
■実験回路を設計する
■トランスフォーム社のリファレンス・ボードを調べる
■リファレンス・ボードの活用をどうするか
■ハーフブリッジ・リファレンス・ボードを使用したブリッジ・インバータの設計
■制御回路を設計する
■動作実験
第2特集 SiCトランジスタで作る5kW超小型インバータ
小型・大電力・高効率の電源を目指して…
第1章 スイッチング特性から見たSiC MOSFETとSi IGBTの比較
■SiC MOSFETの形状と静特性
■ハード・スイッチング時の特性評価
■特性と使用上の注意点
■動作させる回路方式
高周波動作で小型&軽量
第2章 SiC MOSFETを使った5kW高効率LLCコンバータの試作
■LLC 共振回路構成と動作
■高電圧/高周波でコンバータを大電力化するうえでの設計方針
■共振回路の設計
■SiC MOSFET を使った5kW コンバータの試作
GE Articles
デバイス
負荷変動をもつセットに対してメリットが発揮できる
HybridMOS〜内部構造で異なる新型MOSFETの性能〜
■スイッチング・デバイスの内部構造の違いと動作原理
■HybridMOS の使いどころ
■HybridMOS と他デバイスとの性能比較
■HybridMOS のメリットとデメリット
■HybridMOS の今後の展開
■コラム HybridMOS 誕生の背景
解説
AC電源ライン・フィルタのLTspiceによる最適化検証
ケース入りノイズ・フィルタのコモン・モード・チョーク実装位置による高域減衰特性の悪化を防ぐ
■ケース入りノイズ・フィルタ…内部レイアウト
■ノイズ・フィルタの回路解析
■伝導妨害波の確認
従来のMOSFETと同じように使える！高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生！
特集 30MHz/10kWスイッチング！超高速GaNトランジスタの実力と応用
基本構造から応用製品まで
第1章 GaNパワー・デバイスの現状
■デバイス構造
■デバイス性能
■GaNを搭載した回路
■GANパワー・デバイスが搭載された製品
GaNパワー・デバイスを中心に…
第2章 最新ワイドギャップ・パワー・デバイスの基本特性比較
■GaN HEMTの基本構造
■デバイスの損失
■基本特性の比較
■各デバイスの比較
■デモボード評価
耐熱性が高く小型軽量で高効率が望まれる
第3章 GaN素子の電気自動車インバータへの応用の可能性
■電気自動車技術の進歩
■電気自動車にとっての新素子の価値
■GaN素子を用いたモータ駆動の初期的試験
超低ロス・超高速！最新パワー・デバイスを試す
第4章 GaNトランジスタTPH3006PSで作る効率99%の300Wインバータ
■GaNトランジスタの特性をチェック
■DC-ACインバータの回路を検討する
■どのPWM 方式を採用するか
■実験回路を設計する
■トランスフォーム社のリファレンス・ボードを調べる
■リファレンス・ボードの活用をどうするか
■ハーフブリッジ・リファレンス・ボードを使用したブリッジ・インバータの設計
■制御回路を設計する
■動作実験
第2特集 SiCトランジスタで作る5kW超小型インバータ
小型・大電力・高効率の電源を目指して…
第1章 スイッチング特性から見たSiC MOSFETとSi IGBTの比較
■SiC MOSFETの形状と静特性
■ハード・スイッチング時の特性評価
■特性と使用上の注意点
■動作させる回路方式
高周波動作で小型&軽量
第2章 SiC MOSFETを使った5kW高効率LLCコンバータの試作
■LLC 共振回路構成と動作
■高電圧/高周波でコンバータを大電力化するうえでの設計方針
■共振回路の設計
■SiC MOSFET を使った5kW コンバータの試作
GE Articles
デバイス
負荷変動をもつセットに対してメリットが発揮できる
HybridMOS〜内部構造で異なる新型MOSFETの性能〜
■スイッチング・デバイスの内部構造の違いと動作原理
■HybridMOS の使いどころ
■HybridMOS と他デバイスとの性能比較
■HybridMOS のメリットとデメリット
■HybridMOS の今後の展開
■コラム HybridMOS 誕生の背景
解説
AC電源ライン・フィルタのLTspiceによる最適化検証
ケース入りノイズ・フィルタのコモン・モード・チョーク実装位置による高域減衰特性の悪化を防ぐ
■ケース入りノイズ・フィルタ…内部レイアウト
■ノイズ・フィルタの回路解析
■伝導妨害波の確認