目次

第1章　パワーMOS FET スイッチングのあらまし
　1-1　理想スイッチング素子に近づくパワーMOS FET
　1-2　パワー・スイッチング回路の課題
　1-3　スイッチング回路を進化させる

第2章　損失を低減するZCSとZVS，そしてE級アンプ
　2-1　ゼロ電流スイッチング　ZCSは直列共振で
　2-2　ゼロ電圧スイッチング　ZVSは並列共振で
　2-3　E級ゼロ電圧スイッチング(ZVS)アンプへ

第3章　損失低減の要?LCR共振回路
　3-1　LとCの基本的なふるまい
　3-2　LR直列+C並列…LCR共振回路のふるまい
　3-3　共振回路と負荷との整合係数QL

第4章　高周波出力のためのインピーダンス変換回路
　4-1　なぜインピーダンス変換回路か
　4-2　非絶縁型のインピーダンス変換回路
　4-3　お勧めは絶縁型のインピーダンス変換回路
　4-4　LC共振回路によるインピーダンス変換

第5章　フェーズ・シフトPWM技術をマスタする
　5-1　フェーズ・シフトPWMとは
　5-2　フェーズ・シフトPWM用コントロールIC

第6章　フェーズ・シフトPWMによるZVS可変電源の設計
　6-1　電圧可変型スイッチング電源のあらまし
　6-2　フェーズ・シフトPWM回路の設計
　6-3　フル・ブリッジおよび周辺回路の設計
　6-4　試作したZVS可変電源の特性評価

第7章　E級ZVSアンプ設計のあらまし
　7-1　E級ゼロ電圧スイッチング(ZVS)の動作
　7-2　E級ZVSアンプで生じる損失

第8章　1MHz・5W E級ZVSアンプの設計
　8-1　超音波振動子駆動用E級アンプの設計
　8-2　ゲート駆動回路の考察と動作の確認

第9章　1MHz・300W出力 E級アンプの設計
　9-1　大出力超音波駆動用E級アンプの設計
　9-2　1MHz・300W E級出力回路の設計
　9-3　1MHz・300W E級アンプの評価試験

第10章　3.5MHz・150WプッシュプルE級アンプの設計
　10-1　プッシュプル出力のメリット
　10-2　プッシュプルE級アンプ設計のあらまし
　10-3　3.5MHz・150W プッシュプルE級アンプの定数設計
　10-4　試作したプッシュプルE級アンプの特性評価

第11章　13.56MHz E級150W/500W高周波電源の設計
　11-1　シングル150W 高周波電源のあらまし
　11-2　入力段…整合回路の設計
　11-3　シングル150W 出力段の設計
　11-4　試作したシングル150Wの動作と評価
　11-5　プッシュプル 500W E級アンプの設計
　11-6　プッシュプル用高効率出力トランスの製作
　11-7　試作したプッシュプル500Wの動作と評価

Appendix1　本書で使用しているパワーMOS FETについて

Appendix2　高周波スイッチング/共振型スイッチング回路に使用するコア
　2-1　フェライト・コア
　2-2　トロイダル型ダスト・コアはマイクロメタル(Micrometals)社製を使用

Appendix3　コイルやトランスに使用する巻き線について