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誤・変更前 |
正・変更後 |
| p.33 上から1行目 | 図1-4(a) | 図1-6(a) |
| p.57 図3-9の解説 | (gmro)ro程度以上 | (gmro)ro程度 |
| p.101 上から2行目 | VGS1 | VDS1 |
| p.127 上から14-15行目 | 高精度でデータ比較 | 「高精度」を削除 |
| p.134 上から5行目 | Vout,n | Vout,n |
| p.139 上から2-3行目 | ソース-ドレイン間容量 | ゲート-ドレイン間容量 |
| p.157 上から7-8行目 | 避けれません | 避けられません |
| p.218 上から4-5行目 | 用途に応じてが使い分け | 用途に応じて使い分け |
| p.230 上から4-5行目 | 図13-4(a) | 図13-4 |
| p.235 上から17行目 | ハンドパス・フィルタ | バンドパス・フィルタ |
| p.243 式(13.11) | H(s) = Gin・・・ | H(s) = -Gin… |
| p.252 上から3-4行目 | 図13-21 | 図13-24 |
| p.254 式(14.6) | (分子)C1C3s2 + C1C3s + … | C1C3s2 + C1G3s + … |
| p.263 上から8行目 | 図13-21 | 図13-24 |
| p.278 上から8-9行目 | 周期はfs/N | 周波数はfs/N (周期はN/fs) |
| p.324 上から14行目 | 左側の電極に電荷-CVref | 下側の電極に電荷+CVref |
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| p.61 図G-2 | vs=vs+idZs | vs=v*s+idZs |
| p.65 図4-2中 | 20dB/dec | -20dB/dec |
| p.69 図4-6中 | 20dB/dec | -20dB/dec |
| p.73 下から4行目 | Ao=gmReff | Ao=-gmReff |
| p.78 下から5行目 | VDS< |
VDS> |
| p.92 上から8行目 | カード | ガード |
| p.103 上から4行目 | 電圧をvinを | 電圧vinを |
| p.104 上から8行目 | 図6-6 | 図6-5 |
| p.112 最終行 | gm4ro2 | gm4ro4 |
| p.140 下から3行目 | 式(8.7) | 式(8.5) |
| p.193 図11.16 | M6 40/1 | M6 80/1 |
| p.204 下から12行目 | 図11-4を | 図11-5を |
| p.210 下から7行目 | (M13〜M17) | (M14〜M18) |
| p.243 上から10行目 | (点線の枠の中) | (灰色の部分) |
| p.250 図14-4、図14-5 | (G/C)βF1s | (C/G)βF1s |
| p.286 図16-10 | 上の□の中のz-1 | z-2 |
| p.286 図16-10 | 2次のノイズ・シェーピング | 3次のノイズ・シェーピング |
| p.307 下から6行目 | MBS | MSB |
| p.308 下から2行目 | 構成構成 | 構成 |
| p.309 図17-15中 | (C1+Cf)Vin±C1Vref | [(C1+Cf)Vin±C1Vref]/Cf |
| p.329 上から6行目 | 図18-15 | 図18-16 |
| p.332 索引 | LNA……257 | LNA……258 |
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| p.54 6行目 | √2I/β | √(2I/β) ※ルートの中にβまで入る |
| p.100 式(6.1),式(6.2),式(6.3) | |VTp| | VTp |
| p.167 表10-1欄外右下 | K = 1 + β | K = 1 + βA |
| p.167 最後の行 | 電流源 | 帰還電圧源 |
| p.219 図12-24 | M5とCの間のスイッチは不要.結線. | |
| p.219 図12-25 | 図面上部のφ1とφ2を入れ替え | |
| p.251 10行目 | 図13-18(b) | 図13-21(b) |
| p.254 図14-11(a) | G3+sG3 | G3+sC3 |
| p.254 3行目 | 分母 | 分子 |
| p.254 式(14.6) 分母第1項 |
C1(C2+C4)s2 | C1C2s2 |
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| p.19 図1.2 "もや"の濃度 |
上から下に向かって濃く | |||||
| p.32 図2.2 図中の丸(●) |
有 | 削除 | ||||
| p.38 下から3行目 | 式(2.4)より | 削除 | ||||
| p.42 図2-10 |
直流等価回路 | 小信号等価回路 | ||||
| p.44 図E-2 湖と川底の部分にある電子濃度 |
上から下に向かって濃く | |||||
| p.51 図3-3 右図の抵抗の下 |
「↓」(接地) | |||||
| p.55 最後の行 |
iout | id | ||||
| p.59 表3-2 (a) |
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![]() |
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| p.61 式(G.6)と図G-2 | iO | id | ||||
| p.65 2行目 | ほぼ1で | ほぼ1(=0dB)で | ||||
| p.70 10行目 | 使った回路では, | 使った回路では,式(2.4)と式(2.6)より | ||||
| p.75 2行目 | 電圧利得Ao=gm1/gm2 | 電圧利得Ao≒gm1/gm2 | ||||
| p.103ページの式(6.10) | ![]() |
![]() |
||||
| p.104 下から4行目 | (コラムFの式(F.4)参照) | (コラムGの式(G.4)参照) | ||||
| p.120 11行目 | R2/R1を20倍程度 | (R2/R1)ln(K)を20倍程度 | ||||
| p.135 下から3行目 | n < 4 | n ≦ 4 | ||||
| p.137 式(N.3) 積分記号の中 |
|
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||||
| p.139 7行目 | Bのテイル電流 | Aのテイル電流 | ||||
| p.146 6行目 | コラムK参照 | コラムO参照 | ||||
| p.153 下から4行目 | =|β1-β2| | =β1-β2 | ||||
| p.206 図12-10 | (a)AB級バッファ回路 | (a)A級バッファ回路 | ||||
| p.206 図12-10の説明 | (a)と(c)はAB級出力バッファ回路,(b)はB級出力バッファ回路である. | (a)はA級出力バッファ回路,(b)はB級出力バッファ回路,(c)はAB級出力バッファ回路である. | ||||
| p.209 図12-12 | フィードフォワード型 | フィードバック型 | ||||
| p.216 図12-20 | この方式では自動的に | この方式ではp1が小さくなると自動的に | ||||
| p.222 図12-28 | 最大値はVDD−4VDsat | 最大値は2VDD−8VDsat | ||||
| p.278 下から6行目 | ローパス間引き | 間引き | ||||
| p.304 図17-10 | 抵抗分割して2N-1個の | 抵抗分割して2N個の | ||||
| p.322 8行目 | 温度計コードを使う | 温度計コードと併用して使う | ||||
| p.329 最後の行 | 異なっており,オーバサンプリング技術が採用されているのです. | 異なっており,第16章で述べたオーバサンプリング技術を駆使したΔ-Σ型のD-Aコンバータが用いられているのです. | ||||
| p.331の参考文献に追加 | (9) R. Gregorian and G. C. Temes; Analog MOS Integrated Circuit for signal processing, John Wiley & Sons, 1986. (10) K. R. Laker and W. M.C.Sansen; Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-Hill, 1994. (11) B. Razavi(著), 黒田忠広(編訳);アナログCMOS集積回路の設計 基礎編,丸善, 2003年. (12) 式部幹,高橋宣明,岩田穆,国枝博昭;スイッチトキャパシタ回路, 現代工学社,1985年. (13) W. K. Chen; Analog circuits and devices, CRC Press, 2003. (14) R. Schaumann and M.E. van Valkenburg, Design of analog filters, Oxford University Press, 2001. |
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